Ångström Aerospace vill använda snabba beständiga minnen för att möjliggöra ytterligare miniatyrisering av framtidens robusta inbäddade system. Genom att integrera den nya minnestekniken baserad på magnetisk lagring (MRAM) kan flera olika kretsar tas bort ur dagens konstruktioner samtidigt som datahastigheten ökar och flexibiliteten förbättras. – Vårt samarbete med Freescale möjliggör att vi får tillgång till minnena i de format som vi önskar, vilket ger oss unika fördelar, inte minst genom att kunna göra stora lagringsmedia för krävande applikationer. Med hjälp av magnetisk lagringteknik kan vi även implementera avancerade lösningar som innehåller rekonfigurerbar elektronik, dvs där samma processorkraft kan användas för att lösa olika uppgifter vid olika tidpunkter, säger Tekn dr Enrique Lamoureux, projektledare vid Ångström Aerospace. Arbetet med att integrera MRAM i Ångström Aerospaces produkter har skett i nära samverkan med entreprenören och forskaren tekn. dr Johan Åkerman vid avdelningen för tillämpad spinntronik vid KTH. – Ångström Aerospace och KTH kommer att fortsätta söka samarbeten och gemensamma projekt för avancerade tillämpningar av spinntronik. Det är mycket engagerande att vi som litet företag snabbt får tillgång till ny teknik likväl som vårt varumärke snabbt växer internationellt så att vi väljs ut för teknikdemonstrationer och samarbeten som detta med MRAM. De stora halvledarföretagen känner till vår expertis inom avancerad packning på wafer-nivå och vi ser fram emot att fördjupa vårt samarbete med KTH och Freescale, säger Fil dr Fredrik Bruhn, vd för Ångström Aerospace.